Hassan Lachkar

Doctorat : Amélioration de la manufacturabilité des circuits intégrés
pour les technologies avancées 65/45/28nm.
- Etude des mécanismes de défaillances de pertes de rendement
- Utilisation du flow complet de Placement routage IC-Compiler
(ICC) Synopsys.
- Analyse d’aires Critiques (CAA) Calibre Mentors Graphic.
- Analyse des défauts systématiques : simulations lithographiques
avec LfD Calibre Mentor Graphic.
- Développement d’un outil d’extraction de données de circuits en C++
à travers la base de données Open Access.
- Identification et définition des critères et marges d’optimisations pour
les circuits 45nm et 28nm.
- Définition et développement de méthodes de prédiction de défauts:
- Modèle de détection de sensibilité des circuits aux défauts
systématiques en collaboration avec la société Infiniscale.
- Définition et développement de méthodes de correction :
- Développement d’un outil de décongestion du routage ICC.
- Méthode d’optimisation concurrente de l’aire critique (CA) et des
défauts lithographiques des circuits.

Développement d´un simulateur automatique de fautes électriques
pour le test des circuits mémoires non-volatiles de types eFlash :
- Mise en place du cahier des charges client.
- Elaboration de l’outil de test (Langage C et Spice).
- Conception d’une cellule mémoire eFlash 90nm en Verilog-A
et simulation sous Cadence